CAS号：

7782-40-3

分子式：

C

分子量：

12.01104

中文名称：

金刚石,玻璃刀,钻石,菱形

英文名称：

Diamond

中文别名：

金刚石,玻璃刀,钻石,菱形;
金刚石;
人造金刚石;
人造金红石;
金刚粉

英文别名：

Diamond;
1/10PCS-WB2;
13C Diamond;
A 8K100;
A 8K160;
ABS 2;
ABS 2 (abrasive);
ABS 3;
AC 160T;
AP 10;
AP 200;
AP 30;
AP 325;
AS 15;
AS 15 (diamond);
AS 20;
AS 20 (diamond);
AS 32;
AS 32 (diamond);
AS 4;
AS 4 (diamond);
AS 50;
AS 50 (diamond);
AS 6;
AS 6 (diamond);
ASB;
ASB (diamond);
ASM 0.3/0;
ASM 1/0;
ASM 28/20;
ASO;
ASO (diamond);
ASO 12;
ASPK;
ASV;
ASV (diamond);
ASh-A;
Almazot;
Ballas ASB;
Bando 306F1;
Blend Nuevo;
CD 10;
Carbon, diamond;
Carbonado ASPK;
Cluster Diamond;
Compax;
D 1-3;
D 600;
D 600 (abrasive);
DA 2200;
DP 1;
DP 1 (diamond);
DP 2;
DP 2 (diamond);
Daimind;
Diamond dust;
GMM 0-0.5;
GMM 0-1;
GMM 0-2;
Genesis KMm;
H 3-8;
HHM-A 1;
IMM;
IRM;
IRM (diamond);
IRM 0-2;
IRM 1/2-3;
IRM 10-20;
IRM 3-8;
IRM 4-6;
IRM-M 10/20;
IRV 140/170;
ISBN-M 4-8;
JR 23;
JR 4;
KMG 03;
KPD 010;
Karbonado ASPK;
Kemet 45L-C1;
LS 600F;
LS 600T;
LS 6BXT1/2-1;
LS 6BXT22-36;
LS 6BXT6-11;
MBD 4;
MBD 6;
MBG 600;
MBS;
MBS (abrasive);
MD 100;
MD 100 (diamond);
MD 150;
MD 150 (diamond);
MD 20-0B;
MD 250;
MD 50;
MD 50 (diamond);
MD 50-0B;
MD 500;
MD 750;
MD 750 (diamond);
MD 80;
MD 800;
Metadi II 40-6259;
Metal Bond;
Micron Plus ABN;
Micron Plus MDA;
Micron Plus SND;
Micron Powder MMP;
Micron Size Diamond Powder;
Micron+ABN;
Micron+MDA;
Micron+SND;
Monodite MT-L 101005Q;
Mypolex;
NB 50;
NB 90;
NB 90 (diamond);
ND 90;
NanoAmando;
NanoEndure NDS 100;
Nanodiamond;
Nanodiamond Powder;
Nanodiamonds;
Nanozyte Dia 9;
Nanozyte Diamond 1;
Nanozyte Diamond 9;
PCD 002;
PCD 025;
PD;
PL-D-G;
PM 80;
PM 80 (diamond);
PremaDia PDA 433;
RJK 1;
RJK 1C3M;
RVG 400/500;
RVG-D 126;
SB 15B;
SCM Fine Diamond;
SCM Fine Diamond 0.025;
SCM Fine Diamond 4-8;
SCM Fine Diamond 5;
SCM Fine Diamond 6-12;
SD 3000;
SD 600;
SDB 1125;
SJK 5C3M;
SKM-R;
SXD 70-60/70;
SXD 70-70/80;
Sumicrystal;
Sumidia DA 150;
Sumidia DA 2200;
Syndite;
Syndite 002;
Syndite 010;
Syndite 025;
TDC-GM;
TK-P 3D;
Tetrabond;
UD 200;
UD 90;
UDA-VK;
UDDD-SF;
UF 44;
UF 445;
UltraC Diamond;
Ustalla;
W 40;
W 7;
W 7 (diamond);
ZND 20;
uDiamond Molto;
uDiamond Molto Vox P

精确分子量/精确质量：

12.00000

极性分子表面积/PSA：

0.00000

油水分配系数/LogP：

LogP值指的是某物质在正辛醇/水两相体系中的分配系数的对数值，反映了物质在油水两相中的分配情况。其中、LogP值越大，说明该物质越亲油；反之，LogP值越小，则说明该物质越亲水。

贝尔斯坦号/MDL：

MFCD00211867

EINECS：

231-953-2

制备方法

制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法,该方法可分以下3种类型。 (1)热化学气相沉积(TCVD)法 在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法,目前采用很多的热丝法(EFCVD)以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。 (2)物理化学气相沉积法 用物理化学方法促进CVD过程,例如等离子增强CVD(PECVD或PACVD)、微波等离子体CVD(MWCVD)、射频等离子体CVD(RFPECVD)和直流等离子体CVD(DCPECVD)及电子增强CVD(EACVD)等。 (3)物理气相沉积法 即用物理方法(蒸发、溅射、离子束等)直接从碳源获取碳原子或碳离子,将含碳气体转变为气态活性碳原子,定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳 碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成75000℃和压强12×109Pa的热尖峰,其持续时间为10-21s,从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下,严格控制电磁场能量,精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度,以及反应沉积速率。

合成制备方法

制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法，该方法可分以下３种类型。

（１）热化学气相沉积（ＴＣＶＤ）法　在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法，目前采用很多的热丝法（ＥＦＣＶＤ）以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。
（２）物理化学气相沉积法　用物理化学方法促进ＣＶＤ过程，例如等离子增强ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ或ＰＡＣＶＤ）、微波等离子体ＣＶＤ（ＭＷＣＶＤ）、射频等离子体ＣＶＤ（ＲＦＰＥＣＶＤ）和直流等离子体ＣＶＤ（ＤＣＰＥＣＶＤ）及电子增强ＣＶＤ（ＥＡＣＶＤ）等。
（３）物理气相沉积法　即用物理方法（蒸发、溅射、离子束等）直接从碳源获取碳原子或碳离子，将含碳气体转变为气态活性碳原子，定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成７５０００℃和压强１２×１０９Ｐａ的热尖峰，其持续时间为１０－２１ｓ，从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下，严格控制电磁场能量，精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度，以及反应沉积速率。